Physique des semi-conducteurs : Fondamentaux
Exercice n°2
Jonction PN
La jonction est réalisée en silicium.
Question
Montrez que la zone de déplétion s'étend plus du coté le moins dopé.
![[zoom...]](javascript:window.open(%22../res/e_fig_02_1.jpg%22,%22_blank%22,%22width=%22+Math.min(800,screen.availWidth)+%22,height=%22+Math.min(600,screen.availWidth)+%22,left=%22+(screen.availWidth-800)/2+%22,top=%22+(screen.availHeight-600)/2+%22,scrollbars=yes,resizable=yes%22)?void(0):void(0)){kind=link}
Question
Calculez la tension de diffusion Vd à T=300K en fonction des densités de dopants NA=1019cm-3, ND= 1016cm-3 et de la densité de porteurs intrinsèques
(300K). Rappel : constante de Boltzmann : k=1,38.10-23JK-1 et charge de l'électron : q=1,602.10-19C.
Question
Donnez l'expression de la largeur de la zone de déplétion w en fonction de NA, ND, Vd et de la permittivité du milieu
. Calculez cette largeur à 300K pour les valeurs données en b).