Applications spécifiques des capteurs pour la photonique et l'imagerie

Diode équivalente

Une diode Laser en présence d'un objet cible peut être modélisée par une diode seule équivalente dont le coefficient de réflexion en amplitude du champ électrique de l'interface côté objet sera un coefficient de réflexion effectif noté r eff .


   
    Figure 5 : Modèle de la diode équivalente
Figure 5 : Modèle de la diode équivalente [zoom...]

Un seul aller-retour laser-objet sera considéré compte tenu que notre étude se limite à un faible couplage de rétro-injection (cas des objets non coopératifs). Ce coefficient effectif se détermine en évaluant à l'interface 2 (en notation complexe), l'onde réfléchie Eref en fonction de l'onde incidente Einc l'ayant générée. Le rapport de ces champs donne  qui a la particularité de dépendre de la distance de l'objet.

est le temps de vol aller-retour diode/objet, la fréquence d'émission optique avec  rétro-injection,  le coefficient de réflexion de l'objet en amplitude du champ électrique et D la distance de l'objet .

AccueilOutils transversesNouvelle pageInformations sur le cours (ouvrir dans une nouvelle fenêtre)Diode Laser avec rétro-injection optique faibleGain seuil