Introduction

Jens Als-Nielsen a popularisé l'utilisation des approximations de Born pour le calcul de la réflectivité spéculaire des rayons-X. Son objectif était de déterminer la distribution électronique moyenne normale à la surface d'une solution de cristal liquide nématique [ ]. L'expression reliant le profil de potentiel en profondeur à la réflectivité mesurée est :

où est le facteur de structure local de l'interface et correspond à l'expression théorique de la réflectivité de Fresnel attendue pour une interface libre idéale (abrupte, plane et d'extension latérale infinie).